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新聞網(wǎng)訊 近日，我校材料科學(xué)與工程學(xué)院能源與環(huán)境材料研究院吳廣磊教授科研團(tuán)隊(duì)在界面極化增強(qiáng)型電磁波材料的構(gòu)建方面取得重要進(jìn)展，研究成果以“Molecular intercalation-induced two-phase evolution engineering of 1T and 2H-MS₂(M=Mo, V, W) for interface-polarization-enhanced electromagnetic absorbers”為題發(fā)表在國(guó)際頂級(jí)期刊Adv. Funct. Mater. 2024, DOI：10.1002/adfm.202405523.。該論文我校為唯一完成與通訊單位，吳廣磊教授為通訊作者，該工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金和山東省泰山學(xué)者青年專家項(xiàng)目等的資助。

通過(guò)有機(jī)小分子插層調(diào)整過(guò)渡金屬二硫族化合物(TMDs) MS₂(M=Mo, V, W)的相結(jié)構(gòu)進(jìn)而調(diào)控界面極化的研究性論文。獲得的1T-MS₂具有金屬特性，2H-MS₂表現(xiàn)出半導(dǎo)體特性。并以Mo-MOF為負(fù)載基體，對(duì)界面極化過(guò)程中載流子的運(yùn)動(dòng)行為進(jìn)行了相關(guān)研究。為了排除TMDs材料的本征性質(zhì)的影響，研究了三種同樣具有相變的TMDs (MoS₂, VS₂和WS₂)。在界面極化和傳導(dǎo)損耗的協(xié)同作用下，1T-MS₂復(fù)合材料表現(xiàn)出優(yōu)異的EMW吸收性能。1T-MoS₂/MOF-A具有最佳的EMW吸收性能，最小反射損耗值（RL_min）在3.0 mm時(shí)達(dá)到了-61.07 dB，同時(shí)在2.3 mm時(shí)最大吸收帶寬（EAB_max，RL≤-10 dB）達(dá)到7.2 GHz。

界面極化是電磁波衰減的重要損耗機(jī)制，但載流子在不同類型導(dǎo)體組成的界面中的運(yùn)動(dòng)行為尚未得到研究。通過(guò)有機(jī)小分子插層調(diào)整過(guò)渡金屬二硫族化合物（TMDs）MS₂(M = Mo, V, W)的相結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)界面類型的調(diào)控是一種有效的策略，其中1T-MS2具有金屬性質(zhì)，2H-MS₂具有半導(dǎo)體性質(zhì)。為了排除TMDs材料的本征性質(zhì)的影響，該團(tuán)隊(duì)研究了三種同樣具有相變的TMDs（MoS₂, VS₂和WS₂）。在界面極化和傳導(dǎo)損耗的協(xié)同作用下，1T-MS₂復(fù)合材料表現(xiàn)出優(yōu)異的EMW吸收性能。

近年來(lái)，吳廣磊研究團(tuán)隊(duì)一直致力于吸波材料性能和電介質(zhì)絕緣優(yōu)化工作的研究，至今在Nat. Commun, Adv Funct Mater, Small, Carbon, J. Mater. Sci. Technol.等發(fā)表高水平科研論文多篇，SCI他引共計(jì)22000余次，H指數(shù)93，i10指數(shù)249；入選2022年（2023年）愛思唯爾“中國(guó)高被引學(xué)者”；連續(xù)多年入選全球前2%頂尖科學(xué)家榜單及全球頂尖前10萬(wàn)科學(xué)家榜單；現(xiàn)擔(dān)任Int. J. Miner. Metall. Mater.雜志編委及學(xué)科編輯、J. Mater. Sci. Technol.青年編委、SusMat首屆青年編委、Nano Res青年編委和Nano-Micro Lett青年編委。

論文鏈接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adfm.202405523.